Quelltext der Seite Extrem ultraviolette Strahlung

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{{Belege fehlen}}
[[Datei:ISO 7010 W003.svg|mini|Warnzeichen für ionisierende Strahlung]]
[[Datei:STEREO-A first images.jpg|mini|[[Falschfarbenbild]]er der Sonne im EUV: 17&nbsp;nm (blau), 19&nbsp;nm (grün), 29&nbsp;nm (gelb) 30&nbsp;nm (rot).]]
'''Extrem ultraviolette Strahlung''' ('''EUV''', '''EUV-Strahlung''', engl. {{lang|en|''extreme ultra violet''}}, '''XUV''') bezeichnet den Spektralbereich [[Elektromagnetische Strahlung|elektromagnetischer Strahlung]] zwischen 10&nbsp;nm und 121&nbsp;nm.<ref name="ISO21348">ISO 21348 1. Mai 2007. ''Space environment (natural and artificial) — Process for determining solar irradiances.''</ref> Dies entspricht [[Photon]]en-Energien zwischen etwa 10,25&nbsp;eV und 124&nbsp;eV. Damit bezeichnet EUV einen Wellenlängenbereich an der Grenze zur [[Röntgenstrahlung]], der sich mit der [[VUV-Strahlung|Vakuum-Ultraviolettstrahlung]] (VUV, nach ISO21348 10–200&nbsp;nm<ref name="ISO21348" />, nach DIN 5031 100–200&nbsp;nm<ref>DIN 5031 Teil 7 Januar 1984. ''Strahlungsphysik im optischen Bereich und Lichttechnik. Benennung der Wellenlängenbereiche .''</ref>) überschneidet.

== Gebräuchliche Grenzen ==
Neben den oben genannten Wellenlängengrenzen gibt es noch weitere:<ref name="ISO21348" /><!-- Einzelbelege fehlen noch-->
# die untere Grenzwellenlänge beträgt 30&nbsp;nm 
# die untere Grenzwellenlänge entspricht
#* der Ersten Ionisationsenergie von [[Sauerstoff]] (ca. 100&nbsp;nm)
#* der Transmissionsgrenze von [[Magnesiumfluorid]] (ca. 120&nbsp;nm)
#* der Wellenlänge des [[Lyman-Serie|Lyman-α-Übergangs]] bei 121,6&nbsp;nm
<!-- Die Abkürzung wird aber auch häufig für den Bereich zwischen der [[Silizium]]-L-Kante (ca. 12,4&nbsp;nm) bis hin zu ca. 20&nbsp;nm verwendet. --><!--unbelegt-->

Die Abkürzung XUV wird ebenfalls mit der englischen Bezeichnung {{lang|en|''extreme ultra violet''}} in Zusammenhang gebracht. Laut ISO&nbsp;21348<ref name="ISO21348" /> bezeichnet XUV (0,1–10&nbsp;nm) jedoch den Spektralbereich ultravioletter Strahlung, der sich mit weicher Röntgenstrahlung überschneidet.

== Anwendung ==
Die [[EUV-Lithografie]] ersetzt in der [[Halbleitertechnik]] derzeit die bisherige klassische [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)|Fotolithografie]] und ermöglicht die wirtschaftlichere Produktion aktueller mikroelektronischen Schaltungen sowie die Entwicklung von Schaltkreisen mit höheren Bauelementdichten. International haben sich die beteiligten [[F&E]]-Abteilungen bzw. -Institute auf eine Zentralwellenlänge von 13,5&nbsp;[[Nanometer|nm]] geeinigt. Für die Lithographie kann üblicherweise nur eine Bandbreite von ca. 2 % genutzt werden. Seit 2018 wird die EUV-Lithographie kommerziell in der [[Halbleiter]]industrie angewendet.<ref>{{Internetquelle |autor=Nico Ernst |url=https://www.heise.de/newsticker/meldung/Samsung-fertigt-7-Nanometer-Chips-mit-EUV-Belichtern-4195040.html |titel=Samsung fertigt 7-Nanometer-Chips mit EUV-Belichtern |werk=heise online |datum= 2018-10-18 |abruf=2021-01-11}}</ref> An den Forschungsarbeiten hierzu ist auch eine Gruppe des [[NIST]] in den USA beteiligt.-10-18<ref>{{Internetquelle |autor=Charles Tarrio, Thomas Lucatorto |url=https://www.nist.gov/blogs/taking-measure/how-extreme-ultraviolet-light-helps-give-us-smarter-smartphones-and-stronger |titel=How Extreme Ultraviolet Light Helps Give Us Smarter Smartphones and Stronger Satellites |werk=NIST |datum=2020-04-13 |abruf=2021-01-11}}</ref>

EUV-Strahlung bietet aufgrund der kurzen Wellenlänge und der starken Wechselwirkung mit Materie das Potential der Analyse und Strukturerzeugung mit Nanometer-Auflösung und typisch mehrerer hundert Nanometer [[Eindringtiefe]].

== Einzelnachweise ==
<references />

[[Kategorie:Elektromagnetisches Spektrum]]
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