Quelltext der Seite Radiation sensing field-effect transistor

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Ein  „'''radiation sensing field-effect transistor'''“ ('''RADFET''', auch '''RadFET''') ist ein [[Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor]] (MISFET), dessen Source-Drain-Widerstand von der [[Strahlendosis]] abhängt. Ionisierende Strahlung erzeugt [[Elektron-Loch-Paar]]e im Gate-Bereich. Die Elektronen fließen ab, während sich die positiven [[Gitterfehler|Fehlstellen]] im Substrat anreichern. Der Spannungsabfall am Transistor wächst mit der Strahlendosis. Die Empfindlichkeit liegt in der Größenordnung 10&nbsp;[[Volt|mV]]/[[Gray|Gy]] bis 10&nbsp;V/Gy. 

Aufgrund ihrer geringen Baugröße, der einfachen Integration in elektrische Schaltungen und der hohen erfassbaren Strahlungsdosis von mehr als 1&nbsp;kGy eignen sich RADFETs als Strahlungs[[dosimeter]] für Satelliten.

[[Kategorie:Transistor]]
[[Kategorie:Teilchendetektor]]

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