Nick Holonyak: Unterschied zwischen den Versionen

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'''Nick Holonyak Jr.''' ([[Ukrainische Sprache|ukrainisch]] {{lang|uk|Нік Голоняк}}, * [[3. November]] [[1928]] in [[Zeigler (Illinois)|Zeigler]], [[Illinois]]) ist ein [[US-Amerikaner]], der als Erfinder der sichtbaren [[LED]] gilt.
'''Nick Holonyak Jr.''' ([[Ukrainische Sprache|ukrainisch]] {{lang|uk|Нік Голоняк}}, * [[3. November]] [[1928]] in [[Zeigler (Illinois)|Zeigler]], [[Illinois]]) ist ein [[US-Amerikaner]], der als Erfinder der [[LED]] mit sichtbarem Licht gilt.


Seine Eltern waren ukrainische Emigranten und sein Vater arbeitete in einem Kohlebergwerk. Nachdem Nick bei der ''[[Illinois Central Railroad]]'' gearbeitet hatte, zog er es vor, wieder zur Schule zu gehen. Er erwarb 1954 seinen [[Ph.D.]] an der ''[[University of Illinois at Urbana-Champaign]]'' bei [[John Bardeen]]. 1954 bis 1955 arbeitete er bei den ''[[Bell Laboratories|Bell Telephone Laboratories]],'' leistete dann seinen Militärdienst und war 1957 bis 1963 Wissenschaftler bei ''[[General Electric]]'' (GE).
Seine Eltern waren ukrainische Emigranten und sein Vater arbeitete in einem Kohlebergwerk. Nachdem Nick bei der ''[[Illinois Central Railroad]]'' gearbeitet hatte, zog er es vor, wieder zur Schule zu gehen. Er erwarb 1954 seinen [[Ph.D.]] an der ''[[University of Illinois at Urbana-Champaign]]'' bei [[John Bardeen]]. 1954 bis 1955 arbeitete er bei den ''[[Bell Laboratories|Bell Telephone Laboratories]],'' leistete dann seinen Militärdienst und war 1957 bis 1963 Wissenschaftler bei ''[[General Electric]]'' (GE).
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Bei ''Bell Laboratories'' war er einer der Pioniere in Silizium-Halbleiter-Technologien für [[Transistor]]en<ref>Zur Geschichte Nick Holonyak: ''The origin of diffused silicon technology at Bell Labs 1954–55,'' in: ''The Electrochemical Society Interface,'' Herbst 2007, [http://www.electrochem.org/dl/interface/fal/fal07/fall07_p30-34.pdf PDF.]</ref> und [[Thyristor]]en (SCR genannt), fortgesetzt ab 1957 bei GE. Er erfand den ''shorted [[Bipolartransistor|Emitter]]'' in Thyristoren und [[Triac]]s. Aus seiner Zeit beim Militär in Japan kannte er auch die Arbeiten von [[Leo Esaki]]<ref>[[Robert N. Hall]], „IEEE Oral History“-Interview</ref> zur [[Tunneldiode]] und stellte sie als erster in Silizium her.
Bei ''Bell Laboratories'' war er einer der Pioniere in Silizium-Halbleiter-Technologien für [[Transistor]]en<ref>Zur Geschichte Nick Holonyak: ''The origin of diffused silicon technology at Bell Labs 1954–55,'' in: ''The Electrochemical Society Interface,'' Herbst 2007, [http://www.electrochem.org/dl/interface/fal/fal07/fall07_p30-34.pdf PDF.]</ref> und [[Thyristor]]en (SCR genannt), fortgesetzt ab 1957 bei GE. Er erfand den ''shorted [[Bipolartransistor|Emitter]]'' in Thyristoren und [[Triac]]s. Aus seiner Zeit beim Militär in Japan kannte er auch die Arbeiten von [[Leo Esaki]]<ref>[[Robert N. Hall]], „IEEE Oral History“-Interview</ref> zur [[Tunneldiode]] und stellte sie als erster in Silizium her.


Bei GE entwickelte er bis Februar 1962 die rote [[Leuchtdiode]]. 1962 leitete er eines der Teams, die fast gleichzeitig (erster war [[Robert N. Hall]] vom Schenectady-Labor von GE) die ersten [[Laserdiode]]n (Halbleiterlaser) zum Laufen brachten (seine war die erste im sichtbaren Wellenlängenbereich). 2004 entwickelte er mit [[Milton Feng]] und anderen den Transistor-Laser.
Bei GE entwickelte er bis Februar 1962 die rote [[Leuchtdiode]]. 1962 leitete er eines der Teams, die fast gleichzeitig (erster war [[Robert N. Hall]] vom Schenectady-Labor von GE) die ersten [[Laserdiode]]n (Halbleiterlaser) zum Laufen brachten (seine war die erste im sichtbaren Wellenlängenbereich).


1963 ging er als Professor wieder an die ''[[University of Illinois at Urbana-Champaign]].'' Dort entwickelte er mit seinen Studenten 1977 die ersten ''[[Quantentopf|Quantum Well]] Laser''.
1963 ging er als Professor wieder an die ''[[University of Illinois at Urbana-Champaign]].'' Dort demonstrierte er unter anderem in den 1970ern Lasing in zahlreichen Legierungen (wie [[Indiumgalliumphosphid|InGaP]], AlGaAsP oder InGaPAs), entwickelte 1977 mit seinen Studenten die ersten ''[[Quantentopf|Quantum Well]] Laser''<ref>{{Internetquelle |url=http://www.technology.gov/Medal/2002/bios/Nick_Holonyak-Jr.pdf |titel=Biographie von Nick Holonyak |datum=2002 |format=PDF |sprache=en |archiv-url=https://web.archive.org/web/20040505045430/www.technology.gov/Medal/2002/bios/Nick_Holonyak-Jr.pdf |archiv-datum=2004-05-05 |offline=1 |abruf=1970-01-01 |abruf-verborgen=1}}</ref> und 2004 mit [[Milton Feng]] und anderen den ''Transistor-Laser''.<ref>{{Internetquelle |autor=Nick Holonyak Jr., Milton Feng |url=https://spectrum.ieee.org/computing/hardware/the-transistor-laser |titel=The Transistor Laser |werk=IEEE SPECTRUM, S. 50–55 |datum=2006-02-01 |sprache=en |abruf=2018-10-16}}</ref> Seit 2013 ist er emeritiert.<ref name="NewsGazette2017">{{Internetquelle |url=http://www.news-gazette.com/news/local/2017-11-23/famed-ui-professor-still-lighting-the-way.html |titel=Famed UI professor still lighting the way |werk=The News-Gazette |datum=2017-11-23 |sprache=en |abruf=2018-10-16}}</ref>


Er hält etwa 30 weitere Patente und wurde vielfach ausgezeichnet.
Er hält etwa 30 weitere Patente und wurde vielfach ausgezeichnet.


== Auszeichnungen (Auswahl) ==
== Auszeichnungen (Auswahl) ==
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* 1972 Fellow der [[American Physical Society]]
* 1972 Fellow der [[American Physical Society]]
* 1973 ''[[IEEE]] Morris N. Liebmann Award''
* 1973 ''[[IEEE]] Morris N. Liebmann Award''
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* 2015 [[Charles-Stark-Draper-Preis]]
* 2015 [[Charles-Stark-Draper-Preis]]
* 2016 Ehrenmitglied der ''[[Optical Society of America]]''
* 2016 Ehrenmitglied der ''[[Optical Society of America]]''
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* 2017 ''Progress Medal'' der ''Photographic Society of America''<ref name="NewsGazette2017" />
* 2017 [[Benjamin Franklin Medal (Franklin Institute)|Benjamin Franklin Medal]] des ''[[Franklin Institute]]''
* 2021 [[Queen Elizabeth Prize for Engineering]]
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== Weblinks ==
== Weblinks ==
* IEEE Global History Network: [http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/Oral-History:Nick_Holonyak ''Oral-History: Nick Holonyak'']
* {{Internetquelle
* [http://www.technology.gov/Medal/2002/bios/Nick_Holonyak-Jr.pdf#search='Nick%20Holonyak%20bardeen' Biographie von Nick Holonyak]
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== Einzelnachweise ==
== Einzelnachweise ==
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[[Kategorie:Physiker (20. Jahrhundert)]]
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[[Kategorie:Hochschullehrer (University of Illinois at Urbana-Champaign)]]
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[[Kategorie:Mitglied der National Academy of Sciences der Vereinigten Staaten]]
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[[Kategorie:Mitglied der National Academy of Engineering]]
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[[Kategorie:Mitglied der American Academy of Arts and Sciences]]
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Aktuelle Version vom 28. Dezember 2021, 12:04 Uhr

Nick Holonyak

Nick Holonyak Jr. (ukrainisch {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value), * 3. November 1928 in Zeigler, Illinois) ist ein US-Amerikaner, der als Erfinder der LED mit sichtbarem Licht gilt.

Seine Eltern waren ukrainische Emigranten und sein Vater arbeitete in einem Kohlebergwerk. Nachdem Nick bei der Illinois Central Railroad gearbeitet hatte, zog er es vor, wieder zur Schule zu gehen. Er erwarb 1954 seinen Ph.D. an der University of Illinois at Urbana-Champaign bei John Bardeen. 1954 bis 1955 arbeitete er bei den Bell Telephone Laboratories, leistete dann seinen Militärdienst und war 1957 bis 1963 Wissenschaftler bei General Electric (GE).

Bei Bell Laboratories war er einer der Pioniere in Silizium-Halbleiter-Technologien für Transistoren[1] und Thyristoren (SCR genannt), fortgesetzt ab 1957 bei GE. Er erfand den shorted Emitter in Thyristoren und Triacs. Aus seiner Zeit beim Militär in Japan kannte er auch die Arbeiten von Leo Esaki[2] zur Tunneldiode und stellte sie als erster in Silizium her.

Bei GE entwickelte er bis Februar 1962 die rote Leuchtdiode. 1962 leitete er eines der Teams, die fast gleichzeitig (erster war Robert N. Hall vom Schenectady-Labor von GE) die ersten Laserdioden (Halbleiterlaser) zum Laufen brachten (seine war die erste im sichtbaren Wellenlängenbereich).

1963 ging er als Professor wieder an die University of Illinois at Urbana-Champaign. Dort demonstrierte er unter anderem in den 1970ern Lasing in zahlreichen Legierungen (wie InGaP, AlGaAsP oder InGaPAs), entwickelte 1977 mit seinen Studenten die ersten Quantum Well Laser[3] und 2004 mit Milton Feng und anderen den Transistor-Laser.[4] Seit 2013 ist er emeritiert.[5]

Er hält etwa 30 weitere Patente und wurde vielfach ausgezeichnet.

Auszeichnungen (Auswahl)

  • 1972 Fellow der American Physical Society
  • 1973 IEEE Morris N. Liebmann Award
  • 1973 Mitglied der National Academy of Engineering
  • 1976 Heinrich Welker Medal of the International Symposium on GaAs and Related compounds
  • 1981 IEEE Jack A. Morton Award
  • 1984 Mitglied der National Academy of Sciences
  • 1984 Mitglied der American Academy of Arts and Sciences
  • 1989 IEEE Edison Medal
  • 1990 National Medal of Science
  • 1992 Ehrenmitglied des Joffe-Instituts in Sankt Petersburg
  • 1995 Japan-Preis
  • 1999 Mitglied der Russischen Akademie der Wissenschaften
  • 2000 IEEE Third Millennium Award
  • 2001 Frederic Ives Medal der Optical Society of America
  • 2003 National Medal of Technology
  • 2003 Global Energy Prize
  • 2004 Von Hippel Award
  • 2006 Mitglied der Consumer Electronics Association (CEA) Hall of Fame
  • 2008 National Inventors Hall of Fame
  • 2015 Charles-Stark-Draper-Preis
  • 2016 Ehrenmitglied der Optical Society of America
  • 2017 Progress Medal der Photographic Society of America[5]
  • 2017 Benjamin Franklin Medal des Franklin Institute
  • 2021 Queen Elizabeth Prize for Engineering

Weblinks

  • Nick Holonyak, Jr, John Bardeen Endowed Chair Emeritus. Dept. of Electrical & Computer Engineering, University of Illinois; (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 149: attempt to index field 'data' (a nil value)).
  • Rick Kubetz: Documentary on Professor Nick Holonyak Jr. and the LED premieres on BTN in July. College of Engineering, 1. Juli 2011; (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 149: attempt to index field 'data' (a nil value), Biographie anlässlich der Premiere eines Dokumentarfilms).
  • Oral-History: Interview mit Nick Holonyak. In: IEEE Global History Network. 22. Juni 1993; (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 149: attempt to index field 'data' (a nil value)).
  • Edwin Reilly Jr., M. Whelan: Nick Holonyak Jr., Pioneer in semiconductors. In: Engineering Hall of Fame. Edison Tech Center; (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 149: attempt to index field 'data' (a nil value)).
  • Professor Nick Holonyak Jr. Micro & Nanotechnology Lab, University of Illinois, 20. März 2002; (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 149: attempt to index field 'data' (a nil value)).

Einzelnachweise

  1. ↑ Zur Geschichte Nick Holonyak: The origin of diffused silicon technology at Bell Labs 1954–55, in: The Electrochemical Society Interface, Herbst 2007, PDF.
  2. ↑ Robert N. Hall, „IEEE Oral History“-Interview
  3. ↑ Biographie von Nick Holonyak. (PDF) (Nicht mehr online verfügbar.) 2002, archiviert vom Original am 5. Mai 2004; (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 149: attempt to index field 'data' (a nil value)).
  4. ↑ Nick Holonyak Jr., Milton Feng: The Transistor Laser. In: IEEE SPECTRUM, S. 50–55. 1. Februar 2006, abgerufen am 16. Oktober 2018 (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 149: attempt to index field 'data' (a nil value)).
  5. ↑ 5,0 5,1 Famed UI professor still lighting the way. In: The News-Gazette. 23. November 2017, abgerufen am 16. Oktober 2018 (Lua-Fehler in Modul:Multilingual, Zeile 149: attempt to index field 'data' (a nil value)).
Personendaten
NAME Holonyak, Nick
ALTERNATIVNAMEN Holonyak, Nick Jr.
KURZBESCHREIBUNG US-amerikanischer Physiker und Erfinder
GEBURTSDATUM 3. November 1928
GEBURTSORT Zeigler, Illinois
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