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'''Eberhard Spenke''' (* [[5. Dezember]] [[1905]] in [[Bautzen]]; † [[24. November]] [[1992]] in [[Erlangen]]) war ein deutscher Physiker. | '''Eberhard Spenke''' (* [[5. Dezember]] [[1905]] in [[Bautzen]]; † [[24. November]] [[1992]] in [[Erlangen]]) war ein deutscher Physiker. | ||
Eberhard Spenke studierte an den Universitäten Bonn, Göttingen und Königsberg Physik, die Promotion erfolgte im Jahr 1928. Eberhard Spenke war im Anschluss an seine Studienzeit von 1929 bis 1946 als wissenschaftlicher Mitarbeiter im Berliner Zentrallaboratorium der [[Siemens & Halske AG]] tätig. Zusammen mit [[Walter Schottky]] (1886–1976) untersuchte er dort die Eigenschaften und Leitungsvorgänge von [[Halbleiter]]materialien. In den 1930er und 1940er Jahren war Spenke auch an der Entwicklung von [[Heißleiter | == Leben == | ||
Eberhard Spenke studierte an den Universitäten Bonn, Göttingen und Königsberg Physik, die Promotion erfolgte im Jahr 1928. Eberhard Spenke war im Anschluss an seine Studienzeit von 1929 bis 1946 als wissenschaftlicher Mitarbeiter im Berliner Zentrallaboratorium der [[Siemens & Halske AG]] tätig. Zusammen mit [[Walter Schottky]] (1886–1976) untersuchte er dort die Eigenschaften und Leitungsvorgänge von [[Halbleiter]]materialien. In den 1930er und 1940er Jahren war Spenke auch an der Entwicklung von [[Heißleiter]]n beteiligt (siehe seine Patente u. a. mit W. Schottky<ref>{{patent|Land=AT|V-Nr=145751|Titel=Anordnung zur Verstärkung oder Stabilisierung von Strömen mittels negativer Widerstände|A-Datum=1936-05-25}}</ref><ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=738988|Titel=Verfahren zur Erzielung eines großen Regelbereiches von Heißleitern|A-Datum=1934-03-29}}</ref>). 1944 wurde Spenke der Arbeitsgruppe ''Akustik'' unter [[Friedrich Spandöck]] zugeordnet. | |||
Nach Kriegsende baute Eberhard Spenke im [[Franken (Region)|fränkischen]] [[Pretzfeld]] das Halbleiterforschungslaboratorium der Siemens & Halske AG auf. Im Jahr 1954 gelang ihm dort erstmals die Gewinnung von [[Silicium|Reinstsilizium]] als Ausgangsmaterial für die Produktion elektronischer Bauelemente. Im Oktober 1956 stellte Siemens auf einer Konferenz in Garmisch-Partenkirchen die ersten Silizium-Leistungsgleichrichter mit bislang unerreichten 1000 Volt Sperrspannung und einer maximalen Stromstärke von 200 Ampere vor, die auf einem von Spenke und Mitarbeitern entwickelten Verfahren basierten <ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=1208010|Titel=Flächenhafter Halbleitergleichrichter|A-Datum=1955-11-21}}</ref>. Aus seiner Arbeitsgruppe gibt es eine Reihe von Patenten zur Herstellung hochreiner Halbleitermaterialien <ref>{{patent|Land=DE|V-Nr= 1061593|Titel=Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials für elektrotechnische Zwecke / Method for production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes|A-Datum=1956-06-25}}</ref> u.a. auch von Spenke selbst zusammen mit [[Heinrich Welker]] <ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=1197058|Titel=Verfahren zur Herstellung einkristalliner flacher Halbleiterkörper / Method of producing crystalline semiconductor material on a dendritic substrate|A-Datum=1960-04-02}}</ref>. Eberhard Spenke führte sein Verfahren zur Reinigung und Kristallzüchtung von Silizium bis zur industriellen Reife weiter <ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=1243641|Titel=Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstäben durch Ziehen aus der Schmelze|A-Datum=1962-12-12}}</ref> (siehe auch [[Zonenschmelzverfahren|Zonenziehverfahren]]) und gilt so als „Vater der Siliziumhalbleiter“. | Nach Kriegsende baute Eberhard Spenke im [[Franken (Region)|fränkischen]] [[Pretzfeld]] das Halbleiterforschungslaboratorium der Siemens & Halske AG auf. Im Jahr 1954 gelang ihm dort erstmals die Gewinnung von [[Silicium|Reinstsilizium]] als Ausgangsmaterial für die Produktion elektronischer Bauelemente. Im Oktober 1956 stellte Siemens auf einer Konferenz in Garmisch-Partenkirchen die ersten Silizium-Leistungsgleichrichter mit bislang unerreichten 1000 Volt Sperrspannung und einer maximalen Stromstärke von 200 Ampere vor, die auf einem von Spenke und Mitarbeitern entwickelten Verfahren basierten<ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=1208010|Titel=Flächenhafter Halbleitergleichrichter|A-Datum=1955-11-21}}</ref>. Aus seiner Arbeitsgruppe gibt es eine Reihe von Patenten zur Herstellung hochreiner Halbleitermaterialien<ref>{{patent|Land=DE|V-Nr= 1061593|Titel=Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials für elektrotechnische Zwecke / Method for production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes|A-Datum=1956-06-25}}</ref> u. a. auch von Spenke selbst zusammen mit [[Heinrich Welker]]<ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=1197058|Titel=Verfahren zur Herstellung einkristalliner flacher Halbleiterkörper / Method of producing crystalline semiconductor material on a dendritic substrate|A-Datum=1960-04-02}}</ref>. Eberhard Spenke führte sein Verfahren zur Reinigung und Kristallzüchtung von Silizium bis zur industriellen Reife weiter<ref>{{patent|Land=DE|V-Nr=1243641|Titel=Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstäben durch Ziehen aus der Schmelze|A-Datum=1962-12-12}}</ref> (siehe auch [[Zonenschmelzverfahren|Zonenziehverfahren]]) und gilt so als „Vater der Siliziumhalbleiter“. | ||
== Auszeichnungen == | == Auszeichnungen == | ||
* 1958 VDE-Ehrenring | * 1958: [[Verband der Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik|VDE]]-Ehrenring<ref>[https://www.vde.com/de/ueber-uns/preise-ehrungen/ehrenring ''VDE-Ehrenring''.] Abgerufen am 31. Januar 2018.</ref> | ||
* 1972 [[Wilhelm Exner-Medaille]] | * 1972 [[Wilhelm Exner-Medaille]] | ||
== Literatur und Quellen == | == Literatur und Quellen == | ||
*[ | * [https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/phbl.19990550614 Ottfried Madelung ''Schottky-Spenke-Welker: Erinnerungen an die „Gründerjahre“ der Halbleiterphysik in Deutschland nach dem Zweiten Weltkrieg''], Physikalische Blätter, Band 55, 1999, Heft 6, S. 54–58 | ||
* ''Die Silizium-Pioniere – 100 Jahre zentrale Forschung bei Siemens'', in [ | * ''Die Silizium-Pioniere – 100 Jahre zentrale Forschung bei Siemens'', in [https://www.siemens.com/content/dam/internet/siemens-com/innovation/pictures-of-the-future/pof-archive/pof-herbst-2005.pdf "Pictures of the Future"], 2005, S. 94+95 (PDF; 9,6 MB) | ||
== Weblinks == | == Weblinks == | ||
* {{DNB-Portal|122193482}} | * {{DNB-Portal|122193482}} | ||
* {{Exner-db|Name=Eberhard Spenke}} | * {{Exner-db|Name=Eberhard Spenke}} | ||
* [ | * [https://www.deutsche-biographie.de/pnd122193482.html Mathis, Wolfgang, "Spenke, Eberhard", in: Neue Deutsche Biographie 24 (2010), S. 666–667] | ||
== Patente == | == Patente == | ||
Eberhard Spenke (* 5. Dezember 1905 in Bautzen; † 24. November 1992 in Erlangen) war ein deutscher Physiker.
Eberhard Spenke studierte an den Universitäten Bonn, Göttingen und Königsberg Physik, die Promotion erfolgte im Jahr 1928. Eberhard Spenke war im Anschluss an seine Studienzeit von 1929 bis 1946 als wissenschaftlicher Mitarbeiter im Berliner Zentrallaboratorium der Siemens & Halske AG tätig. Zusammen mit Walter Schottky (1886–1976) untersuchte er dort die Eigenschaften und Leitungsvorgänge von Halbleitermaterialien. In den 1930er und 1940er Jahren war Spenke auch an der Entwicklung von Heißleitern beteiligt (siehe seine Patente u. a. mit W. Schottky[1][2]). 1944 wurde Spenke der Arbeitsgruppe Akustik unter Friedrich Spandöck zugeordnet.
Nach Kriegsende baute Eberhard Spenke im fränkischen Pretzfeld das Halbleiterforschungslaboratorium der Siemens & Halske AG auf. Im Jahr 1954 gelang ihm dort erstmals die Gewinnung von Reinstsilizium als Ausgangsmaterial für die Produktion elektronischer Bauelemente. Im Oktober 1956 stellte Siemens auf einer Konferenz in Garmisch-Partenkirchen die ersten Silizium-Leistungsgleichrichter mit bislang unerreichten 1000 Volt Sperrspannung und einer maximalen Stromstärke von 200 Ampere vor, die auf einem von Spenke und Mitarbeitern entwickelten Verfahren basierten[3]. Aus seiner Arbeitsgruppe gibt es eine Reihe von Patenten zur Herstellung hochreiner Halbleitermaterialien[4] u. a. auch von Spenke selbst zusammen mit Heinrich Welker[5]. Eberhard Spenke führte sein Verfahren zur Reinigung und Kristallzüchtung von Silizium bis zur industriellen Reife weiter[6] (siehe auch Zonenziehverfahren) und gilt so als „Vater der Siliziumhalbleiter“.
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Spenke, Eberhard |
| KURZBESCHREIBUNG | deutscher Physiker |
| GEBURTSDATUM | 5. Dezember 1905 |
| GEBURTSORT | Bautzen |
| STERBEDATUM | 24. November 1992 |
| STERBEORT | Erlangen |