John Battiscombe Gunn: Unterschied zwischen den Versionen
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'''John Battiscombe „J.B.“ Gunn''' (* [[13. Mai]] [[1928]] in [[Kairo]], [[Ägypten]]<ref name="IEEE1988">{{Literatur|Autor=Institute of Electrical and Electronics Engineers|Titel=IEEE membership directory|Verlag=Institute of Electrical and Electronics Engineers|Jahr=1988}}</ref>; † [[2. Dezember]] [[2008]] in [[Mount Kisco]], [[New York (Bundesstaat)|New York]]) war ein britischer [[Physiker]]. Nach ihm sind u. a. der [[Gunn-Effekt]] und die [[Gunn-Diode]] benannt. | '''John Battiscombe „J. B.“ Gunn''' (* [[13. Mai]] [[1928]] in [[Kairo]], [[Ägypten]]<ref name="IEEE1988">{{Literatur|Autor=Institute of Electrical and Electronics Engineers|Titel=IEEE membership directory|Verlag=Institute of Electrical and Electronics Engineers|Jahr=1988}}</ref>; † [[2. Dezember]] [[2008]] in [[Mount Kisco]], [[New York (Bundesstaat)|New York]]) war ein britischer [[Physiker]]. Nach ihm sind u. a. der [[Gunn-Effekt]] und die [[Gunn-Diode]] benannt. | ||
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John Battiscombe Gunn wurde 1928 in Kairo, Ägypten, geboren. Sein Vater war der englische [[Ägyptologe]] [[Battiscombe George Gunn|Battiscombe „Jack“ George Gunn]], einer der führenden Gelehrten für | John Battiscombe Gunn wurde 1928 in Kairo, Ägypten, geboren. Sein Vater war der englische [[Ägyptologe]] [[Battiscombe George Gunn|Battiscombe „Jack“ George Gunn]], einer der führenden Gelehrten für [[ägyptische Hieroglyphen]]. Er war damals Assistent des [[Konservator]]s des [[Ägyptisches Museum (Kairo)|Ägyptischen Museums]] in [[Kairo]]. Seine Mutter war Lillian Frances (Meena) Meacham Hughes Gunn. Nach einem kurzen Aufenthalt in Philadelphia (ab 1931) kehrte die Familie 1934 nach [[England]] zurück, wo sein Vater Jack Gunn die Professur für Ägyptologie an der [[University of Oxford]] erhielt. Diese Stelle behielt er bis zu seinem Tod im Jahr 1950. | ||
In Oxford besuchte er die Schulen King Alfred School und Solebury School (während ein Weltkrieg Aussiedler). Nach dem Zweiten Weltkrieg studierte er [[Physik]] am [[Trinity College (Cambridge)|Trinity College]] in [[Cambridge]], wo er 1948 einen Abschluss als [[Bachelor of Arts]] machte.<ref name="IEEE1988" /><ref name="IEEE1976">{{Literatur|Titel=Contributers|Sammelwerk=IEEE Transactions on Electron Devices|Band=23|Nummer=7|Jahr=1976|Seiten=786}}</ref> Nach seinem Studium wurde er Forschungsingenieur bei Elliott Bros. (London) Ltd, [[Borehamwood]], und ab 1953 war er wissenschaftlicher Mitarbeiter<!--Junior Research Fellow--> am [[Royal Radar Establishment]] in [[Great Malvern]]. Im Jahr 1956 zog er mit seiner Familie nach Kanada, wo er eine Stelle als [[Assistenzprofessor]] am {{lang|en|Physics Department}} der [[University of British Columbia]] in [[Vancouver]] annahm. Drei Jahre später | In Oxford besuchte er die Schulen King Alfred School und Solebury School (während ein Weltkrieg Aussiedler). Nach dem Zweiten Weltkrieg studierte er [[Physik]] am [[Trinity College (Cambridge)|Trinity College]] in [[Cambridge]], wo er 1948 einen Abschluss als [[Bachelor of Arts]] machte.<ref name="IEEE1988" /><ref name="IEEE1976">{{Literatur|Titel=Contributers|Sammelwerk=IEEE Transactions on Electron Devices|Band=23|Nummer=7|Jahr=1976|Seiten=786}}</ref> Nach seinem Studium wurde er Forschungsingenieur bei Elliott Bros. (London) Ltd, [[Borehamwood]], und ab 1953 war er wissenschaftlicher Mitarbeiter<!--Junior Research Fellow--> am [[Royal Radar Establishment]] in [[Great Malvern]]. Im Jahr 1956 zog er mit seiner Familie nach Kanada, wo er eine Stelle als [[Assistenzprofessor]] am {{lang|en|Physics Department}} der [[University of British Columbia]] in [[Vancouver]] annahm. Drei Jahre später wechselte er in die Forschungsabteilung von [[IBM]], dem [[Thomas J. Watson Research Center]] in [[Yorktown Heights|Yorktown]].<ref name="IEEE1976" /> Er blieb dort bis zu seiner [[Emeritierung]] im Jahr 1990. | ||
Die wichtigsten Arbeiten von Gunn waren die Entdeckung des nach ihm benannten Gunn-Effekts im Jahr 1963 und der darauf basierenden Gunn-Diode. Die Gunn-Diode gilt als erste günstige Quelle von [[Mikrowellenstrahlung]], die ohne [[Vakuumröhre]]n auskam. | Die wichtigsten Arbeiten von Gunn waren die Entdeckung des nach ihm benannten Gunn-Effekts im Jahr 1963 und der darauf basierenden Gunn-Diode. Die Gunn-Diode gilt als erste günstige Quelle von [[Mikrowellenstrahlung]], die ohne [[Vakuumröhre]]n auskam. | ||
John Battiscombe Gunn starb am 2. Dezember 2008 daheim in [[ | John Battiscombe Gunn starb am 2. Dezember 2008 daheim in [[Mount Kisco]], [[New York (Bundesstaat)|New York]], an [[Dickdarmkrebs]]. Er hinterließ drei Töchter Janet, Gillian und Donna Gray. Gunns Frau Freda Elizabeth Gunn (geb. Pilcher) verstarb bereits 1975. | ||
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Aktuelle Version vom 5. April 2021, 14:50 Uhr
John Battiscombe „J. B.“ Gunn (* 13. Mai 1928 in Kairo, Ägypten[1]; † 2. Dezember 2008 in Mount Kisco, New York) war ein britischer Physiker. Nach ihm sind u. a. der Gunn-Effekt und die Gunn-Diode benannt.
Leben und Werk
John Battiscombe Gunn wurde 1928 in Kairo, Ägypten, geboren. Sein Vater war der englische Ägyptologe Battiscombe „Jack“ George Gunn, einer der führenden Gelehrten für ägyptische Hieroglyphen. Er war damals Assistent des Konservators des Ägyptischen Museums in Kairo. Seine Mutter war Lillian Frances (Meena) Meacham Hughes Gunn. Nach einem kurzen Aufenthalt in Philadelphia (ab 1931) kehrte die Familie 1934 nach England zurück, wo sein Vater Jack Gunn die Professur für Ägyptologie an der University of Oxford erhielt. Diese Stelle behielt er bis zu seinem Tod im Jahr 1950.
In Oxford besuchte er die Schulen King Alfred School und Solebury School (während ein Weltkrieg Aussiedler). Nach dem Zweiten Weltkrieg studierte er Physik am Trinity College in Cambridge, wo er 1948 einen Abschluss als Bachelor of Arts machte.[1][2] Nach seinem Studium wurde er Forschungsingenieur bei Elliott Bros. (London) Ltd, Borehamwood, und ab 1953 war er wissenschaftlicher Mitarbeiter am Royal Radar Establishment in Great Malvern. Im Jahr 1956 zog er mit seiner Familie nach Kanada, wo er eine Stelle als Assistenzprofessor am {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value) der University of British Columbia in Vancouver annahm. Drei Jahre später wechselte er in die Forschungsabteilung von IBM, dem Thomas J. Watson Research Center in Yorktown.[2] Er blieb dort bis zu seiner Emeritierung im Jahr 1990.
Die wichtigsten Arbeiten von Gunn waren die Entdeckung des nach ihm benannten Gunn-Effekts im Jahr 1963 und der darauf basierenden Gunn-Diode. Die Gunn-Diode gilt als erste günstige Quelle von Mikrowellenstrahlung, die ohne Vakuumröhren auskam.
John Battiscombe Gunn starb am 2. Dezember 2008 daheim in Mount Kisco, New York, an Dickdarmkrebs. Er hinterließ drei Töchter Janet, Gillian und Donna Gray. Gunns Frau Freda Elizabeth Gunn (geb. Pilcher) verstarb bereits 1975. Sein älterer Halbbruder, der britische Jazz-Künstler Patrick „Spike“ Hughes, starb 1987.[3]
Auszeichnungen
Aufgrund seiner Verdienste im Bereich der Festkörper-Mikrowellengeneratoren erhielt John B. Gunn 1969 den IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award. Weiterhin erhielt er den John-Scott-Preis (engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value)) und -Medaille[1] der Stadt Philadelphia (1971) und die Valdemar-Paulsen-Goldmedaille (engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value)) der Königlichen Dänischen Akademie der Wissenschaften. 1977 wurde er in die American Academy of Arts and Sciences aufgenommen.
Einzelnachweise
- ↑ 1,0 1,1 1,2 Institute of Electrical and Electronics Engineers: IEEE membership directory. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1988.
- ↑ 2,0 2,1 Contributers. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Band 23, Nr. 7, 1976, S. 786.
- ↑ Death notice. John Battiscombe Gunn. In: Physics Today. American Institute of Physics, 13. Februar 2009, abgerufen am 5. März 2018 (englisch).
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Gunn, John Battiscombe |
| ALTERNATIVNAMEN | Gunn, J. B. (Spitzname) |
| KURZBESCHREIBUNG | britischer Physiker |
| GEBURTSDATUM | 13. Mai 1928 |
| GEBURTSORT | Kairo, Ägypten |
| STERBEDATUM | 2. Dezember 2008 |
| STERBEORT | Mount Kisco, New York |