Isamu Akasaki: Unterschied zwischen den Versionen

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'''Isamu Akasaki''' ([[Japanische Schrift|jap.]] {{lang|ja|赤崎 勇}}, ''Akasaki Isamu''; * [[30. Januar]] [[1929]] in der [[Präfektur Kagoshima]]) ist ein [[japan]]ischer Wissenschaftler, der im Jahr 1989 erstmals blaue [[Leuchtdiode#Spektrale Charakteristik|Leuchtdioden]], basierend auf dem [[p-n-Übergang]] mit dem [[Halbleiter]]material [[Galliumnitrid]] herstellte.<ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112">Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, {{DOI|10.1143/JJAP.28.L2112}}</ref> Er erhielt dafür im Jahr 2011 die von der [[Institute of Electrical and Electronics Engineers|IEEE]] vergebene Auszeichnung [[IEEE Edison Medal]].<ref>{{cite web|url=http://www.ieee.org/documents/edison_rl.pdf |title=IEEE Edison Medal Recipients |publisher=IEEE |accessdate=23. Februar 2011 |format=PDF; 151&nbsp;kB}}</ref> Im Jahr 2014 wurde er gemeinsam mit [[Hiroshi Amano]] und [[Shuji Nakamura]] mit dem [[Nobelpreis für Physik]] ausgezeichnet.
'''Isamu Akasaki''' ({{jaS|赤崎 勇}}, ''Akasaki Isamu''; * [[30. Januar]] [[1929]] in der [[Präfektur Kagoshima]]; † [[1. April]] [[2021]] in [[Nagoya]]<ref name="NIPPON">[https://www.nippon.com/en/news/yjj2021040200887/ Nobel-Winning Scientist Isamu Akasaki Dies at 92] auf ''nippon.com'' vom 2. April 2021 (englisch)</ref>) war ein [[japan]]ischer [[Ingenieurwissenschaft]]ler.


Isamu Akasaki studierte zunächst bis 1952 [[Elektrotechnik]] an der [[Universität Kyōto]], danach folgte die [[Promotion (Doktor)|Promotion]] an der [[Universität Nagoya]]. Erste Arbeiten im Bereich der [[Optoelektronik]] und Leuchtdioden erfolgten in den späten 1960er und 1970er Jahren, unter anderem bei Firmen wie [[Panasonic Corporation|Matsushita]], wo er die [[metallorganische Gasphasenepitaxie]] (MOVPE) zur Herstellung von Kristallen aus Galliumnitrid verwendete.<ref name="doi10.1143/JJAP.45.9001">Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 9001-9010, {{DOI|10.1143/JJAP.45.9001}}</ref> 1981 und in den Folgejahren, wieder an der Universität Nagoya, setzte er die MOVPE zur Herstellung hochreiner [[Einkristall]]e aus Galliumnitrid (GaN) auf einem [[Saphir]] als Substrat ein. Dieses hochreine GaN konnte er in der Folge mit [[Magnesium]] [[Dotierung|p-dotieren]], zur n-Dotierung kam [[Silicium]] zur Anwendung, so dass er in Summe einen p-n-Übergang mit GaN herstellen konnte, welcher als direkter Halbleiter eine [[Bandlücke]] im blau-grünen Farbbereich aufweist. Damit gelang ihm 1989 die Herstellung der ersten effizienten blauen Leuchtdiode.<ref>[http://link.aip.org/link/?APL/48/353 Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355]</ref><ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112" /> Vorher gab es nur blaue LEDs, die auf dem indirekten Halbleiter [[Siliciumcarbid]] basierten. Diese LEDs kamen schon in den 1970ern auf den Markt, konnten sich aber aufgrund der geringen Effizienz nie durchsetzen.
Akasaki stellte 1989 erstmals blaue [[Leuchtdiode#Spektrale Charakteristik|Leuchtdioden]], basierend auf dem [[p-n-Übergang]], mit dem [[Halbleiter]]material [[Galliumnitrid]] her.<ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112">Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, {{DOI|10.1143/JJAP.28.L2112}}</ref> Er erhielt dafür im Jahr 2011 die von der [[Institute of Electrical and Electronics Engineers|IEEE]] vergebene Auszeichnung [[IEEE Edison Medal]].<ref>{{cite web|url=http://www.ieee.org/documents/edison_rl.pdf |title=IEEE Edison Medal Recipients |publisher=IEEE |accessdate=23. Februar 2011 |format=PDF; 151&nbsp;kB}}</ref> Im Jahr 2014 wurde er gemeinsam mit [[Hiroshi Amano]] und [[Shuji Nakamura]] mit dem [[Nobelpreis für Physik]] ausgezeichnet.


== Auszeichnungen (Auswahl) ==
== Leben und Wirken ==
Isamu Akasaki studierte zunächst bis 1952 [[Elektrotechnik]] an der [[Universität Kyōto]], danach folgte die [[Promotion (Doktor)|Promotion]] an der [[Universität Nagoya]]. Erste Arbeiten im Bereich der [[Optoelektronik]] und Leuchtdioden erfolgten in den späten 1960er und 1970er Jahren, unter anderem bei Firmen wie [[Panasonic Corporation|Matsushita]], wo er die [[metallorganische Gasphasenepitaxie]] (MOVPE) zur Herstellung von Kristallen aus Galliumnitrid verwendete.<ref name="doi10.1143/JJAP.45.9001">Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 9001-9010, {{DOI|10.1143/JJAP.45.9001}}</ref> 1981 und in den Folgejahren, wieder an der Universität Nagoya, setzte er die MOVPE zur Herstellung hochreiner [[Einkristall]]e aus Galliumnitrid (GaN) auf einem [[Saphir]] als Substrat ein. Dieses hochreine GaN konnte er in der Folge mit [[Magnesium]] [[Dotierung|p-dotieren]], zur n-Dotierung kam [[Silicium|Silizium]] zur Anwendung, so dass er in Summe einen p-n-Übergang mit GaN herstellen konnte, welcher als [[Bandlücke#Arten_(mit_Bandstrukturdiagramm)|direkter]] Halbleiter eine [[Bandlücke]] im blau-grünen Farbbereich aufweist. Damit gelang ihm 1989 die Herstellung der ersten effizienten blauen Leuchtdiode.<ref>[ https://doi.org/10.1063/1.96549 Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355]</ref><ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112" /> Vorher gab es nur blaue LEDs, die auf dem [[Bandlücke#Arten_(mit_Bandstrukturdiagramm)|indirekten]] Halbleiter [[Siliciumcarbid]] basierten. Diese LEDs kamen schon in den 1970ern auf den Markt, konnten sich aber aufgrund der geringen Effizienz nie durchsetzen.
 
Isamu Akasaki starb Anfang April 2021 in einem Krankenhaus in Nagoya an einer [[Lungenentzündung]]. Er wurde 92 Jahre alt.<ref name="NIPPON" />
 
== Ehrungen und Auszeichnungen (Auswahl) ==
* 2002 ''Outstanding Achievement Award'' (engl. für ''Gyōseki-shō'') von der ''[[Japan Society of Applied Physics]] (JSAP)'' (Ōyō Butsuri Gakkai)
* 2002 ''Outstanding Achievement Award'' (engl. für ''Gyōseki-shō'') von der ''[[Japan Society of Applied Physics]] (JSAP)'' (Ōyō Butsuri Gakkai)
* 2002 [[Orden der Aufgehenden Sonne]], japanische Auszeichnung für außergewöhnliche Verdienste im zivilen oder militärischen Bereich
* 2002 [[Orden der Aufgehenden Sonne]], japanische Auszeichnung für außergewöhnliche Verdienste im zivilen oder militärischen Bereich
* 2004 [[Person mit besonderen kulturellen Verdiensten]]
* 2009 [[Kyoto-Preis]], im Bereich Optoelektronik
* 2009 [[Kyoto-Preis]], im Bereich Optoelektronik
* 2011 [[IEEE Edison Medal]]
* 2011 [[IEEE Edison Medal]]
* 2011 [[Kulturorden (Japan)|Kulturorden]]
* 2014 [[Nobelpreis für Physik]]
* 2014 [[Nobelpreis für Physik]]
* 2015 [[Charles-Stark-Draper-Preis]]
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*2021 [[Queen Elizabeth Prize for Engineering]]


== Weblinks ==
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Aktuelle Version vom 3. April 2021, 21:22 Uhr

Isamu Akasaki (2011)

Isamu Akasaki ({{Modul:Vorlage:lang}} Modul:ISO15924:97: attempt to index field 'wikibase' (a nil value), Akasaki Isamu; * 30. Januar 1929 in der Präfektur Kagoshima; † 1. April 2021 in Nagoya[1]) war ein japanischer Ingenieurwissenschaftler.

Akasaki stellte 1989 erstmals blaue Leuchtdioden, basierend auf dem p-n-Übergang, mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid her.[2] Er erhielt dafür im Jahr 2011 die von der IEEE vergebene Auszeichnung IEEE Edison Medal.[3] Im Jahr 2014 wurde er gemeinsam mit Hiroshi Amano und Shuji Nakamura mit dem Nobelpreis für Physik ausgezeichnet.

Leben und Wirken

Isamu Akasaki studierte zunächst bis 1952 Elektrotechnik an der Universität Kyōto, danach folgte die Promotion an der Universität Nagoya. Erste Arbeiten im Bereich der Optoelektronik und Leuchtdioden erfolgten in den späten 1960er und 1970er Jahren, unter anderem bei Firmen wie Matsushita, wo er die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) zur Herstellung von Kristallen aus Galliumnitrid verwendete.[4] 1981 und in den Folgejahren, wieder an der Universität Nagoya, setzte er die MOVPE zur Herstellung hochreiner Einkristalle aus Galliumnitrid (GaN) auf einem Saphir als Substrat ein. Dieses hochreine GaN konnte er in der Folge mit Magnesium p-dotieren, zur n-Dotierung kam Silizium zur Anwendung, so dass er in Summe einen p-n-Übergang mit GaN herstellen konnte, welcher als direkter Halbleiter eine Bandlücke im blau-grünen Farbbereich aufweist. Damit gelang ihm 1989 die Herstellung der ersten effizienten blauen Leuchtdiode.[5][2] Vorher gab es nur blaue LEDs, die auf dem indirekten Halbleiter Siliciumcarbid basierten. Diese LEDs kamen schon in den 1970ern auf den Markt, konnten sich aber aufgrund der geringen Effizienz nie durchsetzen.

Isamu Akasaki starb Anfang April 2021 in einem Krankenhaus in Nagoya an einer Lungenentzündung. Er wurde 92 Jahre alt.[1]

Ehrungen und Auszeichnungen (Auswahl)

  • 2002 Outstanding Achievement Award (engl. für Gyōseki-shō) von der Japan Society of Applied Physics (JSAP) (Ōyō Butsuri Gakkai)
  • 2002 Orden der Aufgehenden Sonne, japanische Auszeichnung für außergewöhnliche Verdienste im zivilen oder militärischen Bereich
  • 2004 Person mit besonderen kulturellen Verdiensten
  • 2009 Kyoto-Preis, im Bereich Optoelektronik
  • 2011 IEEE Edison Medal
  • 2011 Kulturorden
  • 2014 Nobelpreis für Physik
  • 2015 Charles-Stark-Draper-Preis
  • 2021 Queen Elizabeth Prize for Engineering

Weblinks

Commons: Isamu Akasaki – Sammlung von Bildern, Videos und Audiodateien

Einzelnachweise

  1. ↑ 1,0 1,1 Nobel-Winning Scientist Isamu Akasaki Dies at 92 auf nippon.com vom 2. April 2021 (englisch)
  2. ↑ 2,0 2,1 Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, doi:10.1143/JJAP.28.L2112
  3. ↑ IEEE Edison Medal Recipients (PDF; 151 kB) IEEE. Abgerufen am 23. Februar 2011.
  4. ↑ Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 9001-9010, doi:10.1143/JJAP.45.9001
  5. ↑ [ https://doi.org/10.1063/1.96549 Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355]
Personendaten
NAME Akasaki, Isamu
ALTERNATIVNAMEN 赤崎勇 (japanisch)
KURZBESCHREIBUNG japanischer Wissenschaftler und Entwickler der blauen Leuchtdiode
GEBURTSDATUM 30. Januar 1929
GEBURTSORT Präfektur Kagoshima
STERBEDATUM 1. April 2021
STERBEORT Nagoya
Abgerufen von „https://www.cosmos-indirekt.de/physik_137/index.php?title=Isamu_Akasaki&oldid=3“