Gerhard Abstreiter

Gerhard Abstreiter

Version vom 2. Dezember 2016, 12:38 Uhr von imported>Drahreg01 (→‎Auszeichnungen: Wikilink.)
(Unterschied) ← Nächstältere Version | Aktuelle Version (Unterschied) | Nächstjüngere Version → (Unterschied)

Gerhard Abstreiter (geboren am 27. November 1946 in Allershausen) ist ein deutscher Halbleiterphysiker und Hochschullehrer.

Biographie

Gerhard Abstreiter besuchte das Josef-Hofmiller-Gymnasium in Freising. Nach bestandener Hochschulreife-Prüfung 1968 studierte er an der Technischen Universität München (TU München) Physik; 1973 schloss er das Physik-Studium mit dem Diplom-Examen ab. In den darauf folgenden zwei Jahren bereitete er an der TU München seine Dissertation vor. 1975 promovierte er dort mit dem Thema Far-infrared cyclotron resonance in silicon inversion layers.

Von 1975 bis 1979 war Abstreiter am Max-Planck-Institut für Festkörperforschung in Stuttgart tätig. 1979–1986 wirkte er als Arbeitsgruppenleiter am physikalischen Institut der TU München. Während dieser Tätigkeit wurde er 1984 mit einer Arbeit zur experimentellen Physik habilitiert. Im Zeitraum 1986/1987 hielt er sich für vier Monate als Gastprofessor an der Universität Innsbruck auf. Seit 1987 ist er ordentlicher Professor am physikalischen Institut sowie am Walter-Schottky-Institut der TU München. 1995 folgten eine viermonatige Gastprofessur an der University of California, Santa Barbara, USA, sowie 2000 jeweils zweimonatige Gastprofessuren an der Columbia University, New York, USA, und an der Universität Tokio, Japan.

Seit 2006 ist Gerhard Abstreiter Mitglied bei der Nanosystems Initiative Munich (NIM). Seit April 2013 ist er Direktor des TUM Institute for Advanced Study.

Abstreiter ist verheiratet und hat zwei Kinder.

Forschungsgebiete

Abstreiter forscht vor allem über Physik und Technologie niedrigdimensionaler Halbleitersysteme auf der Basis von Silizium und Galliumarsenid. Er entwickelt neuartige Bauelemente auf der Basis von Quanteneffekten, hierzu leistet er Grundlagenforschung zu den elektronischen und optischen Eigenschaften von Quantenpunkten und -drähten.

2002 gelang seiner Gruppe zusammen mit Forschungskollegen vom Max-Planck-Institut für Festkörperforschung in Stuttgart ein wichtiger Schritt hin zu einer zukünftigen Spin-Elektronik – es gelang ihnen erstmals, die Spin-Wechselwirkung zwischen Elektronen und Atomkernen in einem Halbleiter ausschließlich durch elektrische Messungen zu bestimmen.

Auszeichnungen

Werke

  • Gerhard Abstreiter: Optical Spectroscopy of Low Dimensional Semiconductors; Springer, Berlin 1997, ISBN 978-9401063517.

Weblinks